HAMAMATSU Silizium-Leuchtdiode S1226-18BU sind Si-Photodioden, die in einem TO-18-Gehäuse mit einem UV-Glasfenster gekapselt sind.
Modell Nr. :
Si Photo-Diode S1226-18BUMarke:
UV-LED CURINGVersandhafen :
ShenzhenZahlung :
T/T 100% before shipmentursprüngliche Region :
JapanHAMAMATSU S1226-18BU und S1336-18BU sind Si-Photodioden, die in einem TO-18-Gehäuse mit einem UV-Glasfenster eingekapselt sind. Diese Fotodioden haben eine hohe Empfindlichkeit vom UV- bis zum nahen Infrarotbereich und arbeiten zuverlässig bei der Erkennung von UV-Strahlung hoher Leistung (z. B. von Quecksilberlampen).
Merkmale S1226-18BU Silizium-Fotodiode:
- Hohe UV-Empfindlichkeit vom UV- bis zum nahen Infrarotbereich
- TO-18-Paket mit UV-Glasfenster
- Unterdrückte Nah-IR-Empfindlichkeit
- Niedriger Dunkelstrom
- Hohe Zuverlässigkeit gegenüber Hochleistungs-UV-Strahlung
Anwendungen von HAMAMATSU Si-Photodioden:
- Monitor mit Quecksilberlampe (λ=254nm)
- Excimer-Laser (KrF: λ=248nm) Monitor
- Andere UV-Erkennung
Spezifikationen von S1226-18BU UV-empfindliche Photodiode:
P hitzeempfindlicher Bereich | 1,1 * 1,1 mm | N Anzahl der Elemente | 1 |
P Paket | M u.a | P Bestätigungskategorie | TO-18 |
C ölen | N aufgekühlt | R Umkehrspannung (max.) | 5V |
S pektraler Ansprechbereich | 190 bis 1000 nm | Anstiegszeit (typ.) | 0,15μs |
P hoto-Empfindlichkeit (typ.) | 0,36 A/W | D ark Strom (max.) | 2 pA |
P eak Empfindlichkeit Wellenlänge (typ.) | 720 nm | N oise-äquivalente Leistung (typ.) | 1,6*10-15W/Hz 1/2 |
T erminale Kapazität (typ.) | 35 pF | M Bewertungsbedingung | T a=25℃, Typ., Lichtempfindlichkeit:λ =720 nm, Dunkelstrom: VR=10mV, Anschlusskapazität: VR=0 V, f=10 kHz, sofern nicht anders angegeben |
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