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HAMAMATSU Silizium-Photoelektrische Diode S1226-18BU TO-18

HAMAMATSU Silizium-Photoelektrische Diode S1226-18BU TO-18

HAMAMATSU Silizium-Leuchtdiode S1226-18BU sind Si-Photodioden, die in einem TO-18-Gehäuse mit einem UV-Glasfenster gekapselt sind.

  • Modell Nr. :

    Si Photo-Diode S1226-18BU
  • Marke:

    DSXUV
  • Versandhafen :

    Shenzhen
  • Zahlung :

    T/T 100% before shipment
  • ursprüngliche Region :

    Japan
Produktdetails

HAMAMATSU S1226-18BU und S1336-18BU sind Si-Photodioden, die in einem TO-18-Gehäuse mit einem UV-Glasfenster eingekapselt sind. Diese Fotodioden haben eine hohe Empfindlichkeit vom UV- bis zum nahen Infrarotbereich und arbeiten zuverlässig bei der Erkennung von UV-Strahlung hoher Leistung (z. B. von Quecksilberlampen).


HAMAMATSU S1226-18BU Silicon Photodiode


Merkmale S1226-18BU Silizium-Fotodiode:

- Hohe UV-Empfindlichkeit vom UV- bis zum nahen Infrarotbereich

- TO-18-Paket mit UV-Glasfenster

- Unterdrückte Nah-IR-Empfindlichkeit

- Niedriger Dunkelstrom

- Hohe Zuverlässigkeit gegenüber Hochleistungs-UV-Strahlung


Anwendungen von HAMAMATSU Si-Photodioden:

- Monitor mit Quecksilberlampe (λ=254nm)

- Excimer-Laser (KrF: λ=248nm) Monitor

- Andere UV-Erkennung


Spezifikationen von S1226-18BU UV-empfindliche Photodiode:

P hitzeempfindlicher Bereich

1,1 * 1,1 mm

N Anzahl der Elemente

1

P Paket

M u.a

P Bestätigungskategorie

TO-18

C ölen

N aufgekühlt

R Umkehrspannung (max.)

5V

S pektraler Ansprechbereich

190 bis 1000 nm

Anstiegszeit (typ.)

0,15μs

P hoto-Empfindlichkeit (typ.)

0,36 A/W

D ark Strom (max.)

2 pA

P eak Empfindlichkeit Wellenlänge (typ.)

720 nm

N oise-äquivalente Leistung (typ.)

1,6*10-15W/Hz 1/2

T erminale Kapazität (typ.)

35 pF

M Bewertungsbedingung

T a=25℃, Typ., Lichtempfindlichkeit:λ =720 nm, Dunkelstrom: VR=10mV, Anschlusskapazität: VR=0 V, f=10 kHz, sofern nicht anders angegeben


HAMAMATSU S1226-18BU Si Photodiodes

HAMAMATSU S1226-18BU Silicon Light Diode

HAMAMATSU S1226-18BU UV Sensitive Photodiode

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